Transistor bipolaire 2SA1007A-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1007A-S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SA1007A-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1007A-S peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SA1007A est compris entre 40 à 320, celui du 2SA1007A-p entre 160 à 320, celui du 2SA1007A-Q entre 100 à 200, celui du 2SA1007A-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1007A-S peut n'être marqué que A1007A-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1007A-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1007A-S par 2SA908, 2SA909, 2SB552, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-R, 2SB600, 2SB600-S, 2SB697K, 2SB697K-C, 2SB705A, 2SB705A-S, 2SB705B, 2SB705B-S, 2SB706, 2SB706-S, 2SB706A, 2SB706A-S, 2SB723, MJ15012 ou MJ15012G.
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