Transistor bipolaire 2SB706A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB706A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -220 V
  • Tension collecteur-base maximum: -220 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 14 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB706A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB706A peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du 2SB706A-Q est compris entre 100 à 200, celui du 2SB706A-R entre 60 à 120, celui du 2SB706A-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB706A peut n'être marqué que B706A.

Complémentaire du transistor 2SB706A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB706A est le 2SD746A.
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