Transistor bipolaire MJ15012G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
• Tension collecteur-base maximum: -250 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 120
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ15012G est la version sans plomb du transistor MJ15012

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ15012G est le MJ15011G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ15012G par MJ15012.