Transistor bipolaire 2SB552
Caractéristiques électriques du transistor 2SB552
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
- Tension collecteur-base maximum: -220 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -15 A
- Dissipation de puissance maximum: 150 W
- Gain de courant (hfe): 25 à 80
- Fréquence de transition minimum: 4 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2SB552
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB552
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