Transistor bipolaire MJ15012

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
• Tension collecteur-base maximum: -250 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 120
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ15012 est le MJ15011.Vous pouvez remplacer le transistor MJ15012 par MJ15012G.Le transistor MJ15012G est la version sans plomb du MJ15012.