Transistor bipolaire 2SB706A-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SB706A-S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -220 V
  • Tension collecteur-base maximum: -220 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 14 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB706A-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB706A-S peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB706A est compris entre 40 à 200, celui du 2SB706A-Q entre 100 à 200, celui du 2SB706A-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB706A-S peut n'être marqué que B706A-S.

Complémentaire du transistor 2SB706A-S

Le transistor NPN complémentaire du 2SB706A-S est le 2SD746A-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB706A-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB706A-S par MJ15012 ou MJ15012G.
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