Transistor bipolaire 2SB552-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB552-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
  • Tension collecteur-base maximum: -220 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB552-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB552-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB552 est compris entre 25 à 80, celui du 2SB552-BN entre 25 à 50.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB552-R peut n'être marqué que B552-R.

Complémentaire du transistor 2SB552-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB552-R est le 2SD552-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB552-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB552-R par 2SA909, 2SB554, 2SB554-R ou 2SB723.
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