Transistor bipolar KSB1116-G

Características del transistor KSB1116-G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1116-K transistor

Diagrama de pines del KSB1116-G

El KSB1116-G se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB1116-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSB1116 estará en el rango de 135 a 600, para el KSB1116-L estará en el rango de 300 a 600, para el KSB1116-Y estará en el rango de 135 a 270.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB1116-G es el KSD1616-G.

Versión SMD del transistor KSB1116-G

El 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YL (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-T (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBT4354 (SOT-23), MMBT4355 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) y SMBTA55 (SOT-23) es la versión SMD del transistor KSB1116-G.

Transistor KSB1116-G en envase TO-92

El 2SB1116-K es la versión TO-92 del KSB1116-G.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB1116-G

Puede sustituir el KSB1116-G por el 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S o KSB1116S-G.
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