Transistor bipolar 2SB1229

Características del transistor 2SB1229

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 560
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2SB1229

El 2SB1229 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1229 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 560. La ganancia del 2SB1229-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1229-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1229-T estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1229-U estará en el rango de 280 a 560.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1229 puede estar marcado sólo como "B1229".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1229 es el 2SD1835.

Versión SMD del transistor 2SB1229

El 2SB1122 (SOT-89) y 2SB1123 (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SB1229.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1229

Puede sustituir el 2SB1229 por el 2SB892 o 2SB985.
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