Transistor bipolar KSB1116S

Características del transistor KSB1116S

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 600
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del KSB1116S

El KSB1116S se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB1116S puede tener una ganancia de corriente de 135 a 600. La ganancia del KSB1116S-G estará en el rango de 200 a 400, para el KSB1116S-L estará en el rango de 300 a 600, para el KSB1116S-Y estará en el rango de 135 a 270.

Versión SMD del transistor KSB1116S

El 2SB1115 (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) y SMBTA55 (SOT-23) es la versión SMD del transistor KSB1116S.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB1116S

Puede sustituir el KSB1116S por el 2SB1116 o KSB1116.
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