Transistor bipolar 2SB1115

Características del transistor 2SB1115

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 600
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1115

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1115 puede tener una ganancia de corriente de 135 a 600. La ganancia del 2SB1115-YK estará en el rango de 300 a 600, para el 2SB1115-YL estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1115-YM estará en el rango de 135 a 270.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1115 puede estar marcado sólo como "B1115".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1115 es el 2SD1615.
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