Transistor bipolar 2SB1122-T

Características del transistor 2SB1122-T

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1122-T

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1122-T puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1122 estará en el rango de 100 a 560, para el 2SB1122-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1122-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1122-U estará en el rango de 280 a 560.

Marcado

El transistor 2SB1122-T está marcado como "BET".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1122-T es el 2SD1622-T.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1122-T

Puede sustituir el 2SB1122-T por el 2SB1115, 2SB1115-YL, 2SB1115A, 2SB1115A-YP, 2SB1123, 2SB1123-T, 2SB1124, 2SB1124-T o 2STF2360.
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