Transistor bipolar 2SB1116A

Características del transistor 2SB1116A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2SB1116A

El 2SB1116A se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1116A puede tener una ganancia de corriente de 135 a 400. La ganancia del 2SB1116A-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1116A-L estará en el rango de 135 a 270, para el 2SB1116A-U estará en el rango de 300 a 600.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1116A puede estar marcado sólo como "B1116A".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1116A es el 2SD1616A.

Versión SMD del transistor 2SB1116A

El 2SB1115A (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SB1116A.

Transistor 2SB1116A en envase TO-92

El KSB1116A es la versión TO-92 del 2SB1116A.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1116A

Puede sustituir el 2SB1116A por el KSB1116A.
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