Transistor bipolar KSB1116A-G

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
• Disipación de Potencia Máxima: 0.75 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 200 a 400
• Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1116A-K transistor

El KSB1116A-G se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor KSB1116A-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSB1116A estará en el rango de 135 a 400, para el KSB1116A-Y estará en el rango de 135 a 270.El transistor NPN complementario del KSB1116A-G es el KSD1616A-G.El 2SB1115A (SOT-89) y 2SB1115A-YP (SOT-89) es la versión SMD del transistor KSB1116A-G.El 2SB1116A-K es la versión TO-92 del KSB1116A-G.Puede sustituir el KSB1116A-G por el 2SB1116A o 2SB1116A-K.