Transistor bipolar 2SB1122

Características del transistor 2SB1122

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 560
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1122

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1122 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 560. La ganancia del 2SB1122-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1122-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1122-T estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1122-U estará en el rango de 280 a 560.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1122 puede estar marcado sólo como "B1122".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1122 es el 2SD1622.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1122

Puede sustituir el 2SB1122 por el 2SB1123 o 2SB1124.
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