Transistor bipolar 2SB1115-YL

Características del transistor 2SB1115-YL

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1115-YL

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1115-YL puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1115 estará en el rango de 135 a 600, para el 2SB1115-YK estará en el rango de 300 a 600, para el 2SB1115-YM estará en el rango de 135 a 270.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1115-YL puede estar marcado sólo como "B1115-YL".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1115-YL es el 2SD1615-GL.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1115-YL

Puede sustituir el 2SB1115-YL por el 2SB1115A, 2SB1115A-YP, 2SB1122, 2SB1122-T, 2SB1123, 2SB1123-T, 2SB1124, 2SB1124-T o 2STF2360.
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