Transistor bipolar BDT63

Características del transistor BDT63

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT63

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT63 es el BDT62.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT63

Puede sustituir el BDT63 por el 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2SD1192, 2SD1827, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G, TIP140T, TIP141T o TIP142T.
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