Transistor bipolar BD538J

Características del transistor BD538J

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD538J

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD538J puede tener una ganancia de corriente de 30 a 75. La ganancia del BD538 estará en el rango de 40 a 0, para el BD538K estará en el rango de 40 a 100.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD538J es el BD537J.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD538J

Puede sustituir el BD538J por el 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJF2955 o MJF2955G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com