Transistor bipolar BD190

Características del transistor BD190

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -70 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD190

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD190 es el BD189.

Versión SMD del transistor BD190

El NZT660 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD190.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD190

Puede sustituir el BD190 por el 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB1168-R, 2SB1168-S, 2SB1168-T, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD778, BD780, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE233, MJE234, MJE250, MJE251, MJE253, MJE253G, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 o MJE703G.
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