Transistor bipolar BD442G
Características del transistor BD442G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 36 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 140
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del BD442G
Versión SMD del transistor BD442G
Sustitución y equivalentes para el transistor BD442G
Equivalent
- TO-220 package, BD535J: 50 watts
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