Transistor bipolar BD442G

Características del transistor BD442G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 36 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD442G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Versión SMD del transistor BD442G

El BDP952 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD442G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD442G

Puede sustituir el BD442G por el 2N4920, 2N4920G, BD442, BD790, BD792, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G o MJE254.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD535J: 50 watts
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com