Transistor bipolar NZT660

Características del transistor NZT660

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 75 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223

Diagrama de pines del NZT660

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor NZT660

Puede sustituir el NZT660 por el BDP950, BDP952, BDP954, BDP956 o NZT45H8.
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