Transistor bipolar MJE251

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 15 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 40 a 180
• Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del MJE251 es el MJE241.El BDP952 (SOT-223) es la versión SMD del transistor MJE251.Puede sustituir el MJE251 por el BD790, BD792, MJE250, MJE252, MJE253, MJE253G o MJE254.