Transistor bipolar MJE253G

Características del transistor MJE253G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 180
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El MJE253G es la versión sin plomo del transistor MJE253

Diagrama de pines del MJE253G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE253G es el MJE243G.

Versión SMD del transistor MJE253G

El BDP954 (SOT-223) es la versión SMD del transistor MJE253G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE253G

Puede sustituir el MJE253G por el BD792, MJE253 o MJE254.
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