Transistor bipolar MJE253G
Características del transistor MJE253G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 15 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 180
- Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- El MJE253G es la versión sin plomo del transistor MJE253
Diagrama de pines del MJE253G
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor MJE253G
Sustitución y equivalentes para el transistor MJE253G
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