Transistor bipolar 2SD986-L

Características del transistor 2SD986-L

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 4000 a 10000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD986-L

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD986-L puede tener una ganancia de corriente de 4000 a 10000. La ganancia del 2SD986 estará en el rango de 2000 a 30000, para el 2SD986-K estará en el rango de 8000 a 30000, para el 2SD986-M estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD986-L puede estar marcado sólo como "D986-L".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD986-L es el 2SB795-L.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD986-L

Puede sustituir el 2SD986-L por el 2N6039, 2N6039G, 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-L, BD169, BD237, BD237G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSB986, KSB986-O, KSD1692, KSD1692-Y, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE722, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com