Transistor bipolar 2SB795-L

Características del transistor 2SB795-L

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 4000 a 10000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB795-L

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB795-L puede tener una ganancia de corriente de 4000 a 10000. La ganancia del 2SB795 estará en el rango de 2000 a 30000, para el 2SB795-K estará en el rango de 8000 a 30000, para el 2SB795-M estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB795-L puede estar marcado sólo como "B795-L".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB795-L es el 2SD986-L.

Versión SMD del transistor 2SB795-L

El BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) y BSP62T3G (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB795-L.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB795-L

Puede sustituir el 2SB795-L por el 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-Y, KSB795, KSB795-O, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G o MJE712.
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