Transistor bipolar 2SB1097-M

Características del transistor 2SB1097-M

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1097-M

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1097-M puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del 2SB1097 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB1097-K estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1097-L estará en el rango de 80 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1097-M puede estar marcado sólo como "B1097-M".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1097-M es el 2SD1588-M.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1097-M

Puede sustituir el 2SB1097-M por el 2N6107, 2N6107G, 2N6110, 2N6133, 2N6134, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB707, 2SB707-R, 2SB708, 2SB708-R, BD204, BD304, BD536, BD536K, BD538, BD538K, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB1097, KSB1097-R, KSB707, KSB707-R, KSB708, KSB708-R, MJE15029, MJE15029G, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955, MJF2955G o NTE197.
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