Transistor bipolar 2SA1010M

Características del transistor 2SA1010M

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SA1010M

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1010M puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del 2SA1010 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SA1010K estará en el rango de 100 a 200, para el 2SA1010L estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1010M puede estar marcado sólo como "A1010M".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1010M es el 2SC2334M.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1010M

Puede sustituir el 2SA1010M por el BD712, BD744C, BD802, BD912, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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