Transistor bipolar 2N6491

Características del transistor 2N6491

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2N6491

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6491

Puede sustituir el 2N6491 por el 2N6491G, BD744B, BD744C, BD910 o BD912.

Versión sin plomo

El transistor 2N6491G es la versión sin plomo del 2N6491.
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