Transistor bipolar 2N6491

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -90 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
• Disipación de Potencia Máxima: 75 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 20 a 150
• Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.Puede sustituir el 2N6491 por el 2N6491G, BD744B, BD744C, BD910 o BD912.El transistor 2N6491G es la versión sin plomo del 2N6491.