Transistor bipolar KSB708-R

Características del transistor KSB708-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB708-R transistor

Diagrama de pines del KSB708-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB708-R puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del KSB708 estará en el rango de 40 a 200, para el KSB708-O estará en el rango de 60 a 120, para el KSB708-Y estará en el rango de 100 a 200.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB708-R es el KSD569-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB708-R

Puede sustituir el KSB708-R por el 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB708, 2SB708-R, BD538, BD538K, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 o MJF2955G.
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