Transistor bipolar BDT96F

Características del transistor BDT96F

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 32 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del BDT96F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT96F es el BDT95F.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT96F

Puede sustituir el BDT96F por el BDT96.
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