Transistor bipolar BDT96

Características del transistor BDT96

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT96

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT96 es el BDT95.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT96

Puede sustituir el BDT96 por el BDT96F.
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