Bipolartransistor MJE15032G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15032G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE15032G ist die bleifreie Version des MJE15032-Transistors

Pinbelegung des MJE15032G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE15032G ist der MJE15033G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15032G

Sie können den Transistor MJE15032G durch einen FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15032, MJE15034, MJE15034G, MJE5740, MJE5741, MJE5742, TIP160, TIP161 oder TIP162 ersetzen.
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