Bipolartransistor MJE15032

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15032

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE15032

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE15032 ist der MJE15033.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15032

Sie können den Transistor MJE15032 durch einen FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE5740, MJE5741, MJE5742, TIP160, TIP161 oder TIP162 ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE15032G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE15032.
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