Bipolartransistor FJPF5200O

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 80 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor FJPF5200O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJPF5200 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des FJPF5200R im Bereich von 55 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum FJPF5200O ist der FJPF1943O.Sie können den Transistor FJPF5200O durch einen FJP5200 oder FJP5200O ersetzen.