Bipolartransistor FJPF5200

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJPF5200

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des FJPF5200

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJPF5200 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJPF5200O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des FJPF5200R im Bereich von 55 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJPF5200 ist der FJPF1943.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJPF5200

Sie können den Transistor FJPF5200 durch einen FJP5200 ersetzen.
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