Bipolartransistor MJE5741

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE5741

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE5741

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE5741

Sie können den Transistor MJE5741 durch einen MJE5742, TIP161 oder TIP162 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com