Bipolartransistor FJP5200R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 55 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor FJP5200R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJP5200 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des FJP5200O im Bereich von 80 bis 160.Der komplementäre PNP-Transistor zum FJP5200R ist der FJP1943R.Sie können den Transistor FJP5200R durch einen FJPF5200 oder FJPF5200R ersetzen.