Bipolartransistor FJPF5200R

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJPF5200R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des FJPF5200R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJPF5200R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJPF5200 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des FJPF5200O im Bereich von 80 bis 160.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJPF5200R ist der FJPF1943R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJPF5200R

Sie können den Transistor FJPF5200R durch einen FJP5200 oder FJP5200R ersetzen.
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