Bipolartransistor FJPF5200R
Elektrische Eigenschaften des Transistors FJPF5200R
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des FJPF5200R
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor FJPF5200R
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