Bipolartransistor FJP5200

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 55 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor FJP5200 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJP5200O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des FJP5200R im Bereich von 55 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum FJP5200 ist der FJP1943.Sie können den Transistor FJP5200 durch einen FJPF5200 ersetzen.