Bipolartransistor FJP5200O

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 80 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor FJP5200O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJP5200 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des FJP5200R im Bereich von 55 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum FJP5200O ist der FJP1943O.Sie können den Transistor FJP5200O durch einen FJPF5200 oder FJPF5200O ersetzen.