Bipolartransistor MJW3281AG
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJW3281AG
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 230 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 230 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
- Electrically Similar to the Popular 2SC3281 transistor
- Der MJW3281AG ist die bleifreie Version des MJW3281A-Transistors
Pinbelegung des MJW3281AG
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJW3281AG
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