Bipolartransistor 2SC6011A-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC6011A-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 230 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 230 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 160 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SC6011A-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC6011A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC6011A liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC6011A-O im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC6011A-Y im Bereich von 50 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC6011A-P-Transistor könnte nur mit "C6011A-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC6011A-P ist der 2SA2151A-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC6011A-P

Sie können den Transistor 2SC6011A-P durch einen 2SC3320, 2SD1313, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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