Bipolartransistor 2SC6011A-P
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC6011A-P
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 230 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 230 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 160 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
- Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SC6011A-P
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC6011A-P
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