Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC9014B
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
Rauschzahl, max: 1 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTC9014B
Der KTC9014B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC9014B kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC9014 liegt im Bereich von 60 bis 1000, die des KTC9014A im Bereich von 60 bis 150, die des KTC9014C im Bereich von 200 bis 600, die des KTC9014C1 im Bereich von 200 bis 320, die des KTC9014C2 im Bereich von 280 bis 420, die des KTC9014C3 im Bereich von 380 bis 600, die des KTC9014D im Bereich von 400 bis 1000.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC9014B ist der KTC9015B.
