Bipolartransistor KSP8099

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSP8099

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSP8099

Der KSP8099 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSP8099C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSP8099.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSP8099 ist der KSP8599.

SMD-Version des Transistors KSP8099

Der 2SC3438 (SOT-89), FMMTA06 (SOT-23), KST06 (SOT-23), MMBTA06 (SOT-23), PMBTA06 (SOT-23), PZTA06 (SOT-223) und SMBTA06 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSP8099-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSP8099

Sie können den Transistor KSP8099 durch einen 2N5830, 2SC1009, BC538, KSC1009, KSP06, MPS8099, MPS8099G, MPSA06, MPSA06G, MPSW06, MPSW06G, PN4033, ZTX454 oder ZTX455 ersetzen.
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