Bipolartransistor MPS651
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS651
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 75
- Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des MPS651
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors MPS651
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS651
Bleifreie Version
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