Bipolartransistor BC537

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC537 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC537 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC537-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BC537-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC537-25 im Bereich von 160 bis 400, die des BC537-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC537 ist der BC527.Sie können den Transistor BC537 durch einen BC538 ersetzen.