Bipolartransistor MPS8099G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8099G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Der MPS8099G ist die bleifreie Version des MPS8099-Transistors
Pinbelegung des MPS8099G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
SMD-Version des Transistors MPS8099G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS8099G
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