Bipolartransistor MPSA05G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSA05G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Der MPSA05G ist die bleifreie Version des MPSA05-Transistors
Pinbelegung des MPSA05G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors MPSA05G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSA05G
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