Bipolartransistor KSC945

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC945

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC945 transistor

Pinbelegung des KSC945

Der KSC945 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC945C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC945.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC945 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC945G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSC945L im Bereich von 350 bis 700, die des KSC945O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC945R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC945Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC945 ist der KSA733.

Transistor KSC945 im TO-92-Gehäuse

Der 2SC945 ist die TO-92-Version des KSC945.
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