Bipolartransistor KSC1008

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1008

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1008 transistor

Pinbelegung des KSC1008

Der KSC1008 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1008C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1008.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1008 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1008G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1008O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1008R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1008Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1008 ist der KSA708.

Transistor KSC1008 im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1008 ist die TO-92-Version des KSC1008.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1008

Sie können den Transistor KSC1008 durch einen 2SC1008, BC537 oder BC538 ersetzen.
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